與非網5月17日訊，臺積電聯合臺大、麻省理工宣布，在1nm以下芯片方面取得重大進展，研究成果發表在Nature。

 

研究發現，使用半金屬鉍Bi作為二維材料的接觸電極，可以大大降低電阻，增加電流，實現接近量子極限的能效，有望挑戰1nm以下工藝的芯片。

據介紹，該發現是由麻省理工團隊首先發現的，隨后臺積電將“易沉積制程”進行優化，而臺大電機系暨光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統”將元件通道成功縮小至納米尺寸。

此前曾報道，IBM在5月初首發了2nm工藝芯片，與當前主流的7nm芯片相比，IBM2nm芯片的性能預計提升45%，能耗降低75%。

不過業界人士表示，由于IBM沒有先進邏輯制程芯片的晶圓廠，因此其2nm工藝無法很快落地，“彎道超車”也比較困難。